Јапонците направија „невидлива меморија“ – изум што би можел да ја промени целата електроника

Истражувачи од Институтот за наука во Токио развија мемориска ќелија со големина од само 25 нанометри, што претставува технолошки пробив кој би можел фундаментално да ја промени модерната електроника.

Истражувачи од Институтот за наука во Токио развија мемориска ќелија со големина од само 25 нанометри, што претставува технолошки пробив кој би можел фундаментално да ја промени модерната електроника, За да се сфати размерот на оваа иновација – 25 нанометри е околу 3.000 пати потенко од човечко влакно. Ова откритие отвора можност за нова генерација уреди со значително помала потрошувачка и поголема ефикасност.

Технологија што ги руши границите на минијатуризацијата

Технологијата се базира на т.н. фероеlectric тунелски спој (FTJ), концепт предложен уште во 1971 година, но долго време ограничен од технолошки бариери. Клучен напредок се случил во 2011 година со откритието дека хафниум-оксид може да задржи електрични својства дури и во ултра тенки слоеви.

Главниот проблем бил „истекување“ на струја на нано-ниво. Тимот предводен од професорот Јутака Маџима решил да го надмине проблемот на неочекуван начин, наместо да се борат против истекувањето, ја намалиле самата структура.

Со тоа, го намалиле влијанието на кристалните граници и развиле нова производна метода. Со загревање на електродите, тие добиле природна полукружна форма која создава структура слична на единечен кристал со минимални загуби.

Меморија што работи подобро кога е помала

Резултатите покажале нешто спротивно на досегашните претпоставки во електрониката – колку што е помала меморијата, толку подобро функционира.

Ова го менува долгогодишното верување дека минијатуризацијата неизбежно ги намалува перформансите на чиповите. Доколку технологијата се комерцијализира, паметните часовници би можеле да работат со месеци без полнење, а сензорските мрежи дури и со години. Во областа на вештачката интелигенција, новата меморија би овозможила побрза обработка на податоци со значително помала потрошувачка на енергија.

Добрата вест е дека материјалот (хафниум-оксид) веќе е компатибилен со постојните процеси во производство на чипови, што значи дека имплементацијата во смартфони и носливи уреди би можела да се случи релативно брзо.

Професорот Маџима нагласува дека ваквите откритија доаѓаат преку преиспитување на границите:

„Предизвикувањето на она што изгледа како граница на науката е како одење во темнина. Но, преку преиспитување на претпоставките, откриваме нови перспективи“, изјави тој.

е-Трн да боцка во твојот инбокс

Последни колумни